机译:MOCVD在块状GaN衬底上生长的Mg掺杂的m面GaN的光致发光
机译:通过MOCVD使用部分Mg掺杂GaN缓冲层在Si底物上生长的AlGaN / GaN HEMT的改善电压
机译:在m面和a面体GaN衬底上生长的InGaN / GaN发光二极管的比较
机译:MOCVD在块状GaN衬底上生长的Mg掺杂的m面GaN的光致发光
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:MOCVD在块状GaN衬底上生长的Mg掺杂的m面GaN的光致发光